U=400В IК=0,5А h21Э>100 fT=100МГц Высокоэффективный   высоковольтный транзистор с использованием диффузионных затворов для сочетания высокого рабочим напряжения, большого коэффициента усиления и быстродействия. КТ-26 (TO-92)   Э    Б     К

Предельно-допустимые режимы (Т=25^оС)

Наименование параметра, характеристики Усл. обозн. Значение Ед. изм. Напряжение коллектор-база UКБ 500 В Напряжение коллектор-эмиттер UКЭ 400 В Напряжение база-эмиттер UБЭ 6 В Ток коллектора IК 500 мА Мощность рассеиваемая коллектором PК 0,8 Вт Температура p-n - перехода ТП 125 оС

Электрические параметры (Т=25^оС)

Наименование параметра Усл. обозн. Мин Тип Макс Ед.изм. Пробивное напряжение коллектор-база при IК=0,1мА, IЭ=0 UКБ,ПРОБ 500 - - В Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при IК=1мА, IБ=0 UКЭ,ПРОБ 400 - - В Пробивное напряжение эмиттер-база при IЭ=0,1мА, IК=0 UЭБ,ПРОБ 6 - - В Ток утечки коллектора при UКБ=400В IКБ0 - - 100 нА Ток утечки эмиттера при UЭБ=6В IЭБ0 - - 100 нА Коэффициент усиления при Uкэ=10В, IК=50мА h21Э 100 - - - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=50мА, IБ=6мА UКЭ,НАС - - 0,3 В Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=50мА, IБ=6мА UБЭ,НАС - 0,8 - В Емкость коллектора при UКБ=10В, IЭ=0 ,  f=1МГц CК - 7 - пФ Граничная частота при UКЭ=10В, IК=10мА fТ 100 - - МГц